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中國發(fā)光二極管LED用襯底材料市場競爭現(xiàn)狀分析與發(fā)展?jié)摿ρ芯繄蟾?016-2021年
【報告編號】: 127522
【出版時間】: 2016年4月
【出版機構】: 中研智業(yè)研究院
【交付方式】: EMIL電子版或特快專遞
【報告價格】:【紙質版】:6500元 【電子版】: 6800元 【紙質+電子】: 7000元
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http://www.zyzyyjy.com/baogao/127522.html【報告目錄】
第一章 半導體照明(LED)產業(yè)概述
1.1 半導體照明(LED)產業(yè)背景環(huán)境
1.2 LED 產業(yè)鏈主要產品、分類及應用
1.3 半導體照明產業(yè)鏈的各個重要環(huán)節(jié)及其特點
1.3.1半導體照明產業(yè)概述
1.3.2上游環(huán)節(jié)產業(yè)鏈
1.3.3中游環(huán)節(jié)(芯片制備)產業(yè)鏈
1.3.4下游環(huán)節(jié)(封裝和應用)產業(yè)鏈
1.3.5全國主要半導體產業(yè)基地及潛力點
第二章全球及我國LED 產業(yè)現(xiàn)狀與發(fā)展
2.1 全球半導體照明產業(yè)現(xiàn)狀
2.1.1全球半導體照明產業(yè)格局現(xiàn)狀及發(fā)展
2.1.2全球半導體照明產業(yè)重點區(qū)域及企業(yè)現(xiàn)狀
2.2 中國LED市場現(xiàn)狀
2.2.1中國LED市場地位與現(xiàn)狀
2.2.2中國LED外延及芯片環(huán)節(jié)現(xiàn)狀分析
2.2.3中國LED封裝環(huán)節(jié)現(xiàn)狀分析
2.2.4中國LED應用領域現(xiàn)狀分析
2.2.5 2015年我國LED產業(yè)發(fā)展特點
2.3 中國LED發(fā)展預測
2.3.1政策支持
2.3.2投資分析
2.3.2.1 投資結構分析
2.3.2.2 投資資金分析
2.3.2.3 投資區(qū)域分析
2.3.2.4 2015年LED產業(yè)投資建議
第三章 LED用襯底材料概述
3.1襯底材料的類型及在LED產品中的作用
3.2 LED芯片常用襯底材料選用比較
3.3 LED用襯底材料相關政策資源分析
3.4 LED用襯底材料相關產業(yè)分析
第四章藍寶石篇
4.1藍寶石襯底概述
4.1.1藍寶石襯底概念
4.1.2藍寶石單晶晶體物理性能
4.1.3藍寶石襯底主要類型和應用領域
4.1.4藍寶石襯底主要技術參數(shù)及工藝路線
4.1.5藍寶石襯底標準
4.1.6藍寶石基板應用種類
4.2 國內外藍寶石襯底行業(yè)現(xiàn)狀與發(fā)展
4.2.1國外行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀與企業(yè)介紹
4.2.2國外企業(yè)及其產品簡介
4.2.2.1 Rubicon
4.2.2.2 STC
4.2.2.3 Monocrystal
4.2.2.4越峰電子材料股份有限公司
4.2.2.5 日本的京都陶瓷(Kyocera)
4.2.2.6 并木精密寶石工業(yè)
4.2.2.7 Astek
4.2.2.8其它
4.2.3國內藍寶石襯底行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀
4.2.4國內主要藍寶石單晶生產企業(yè)簡介
4.2.5國內藍寶石長晶爐市場情況
4.3 我國LED產業(yè)對藍寶石襯底的需求分析
4.4 藍寶石襯底生產技術分析
4.4.1目前藍寶石單晶主要生長技術分析
4.4.2國內外主要技術發(fā)展趨勢
第五章碳化硅篇
5.1 碳化硅襯底概述
5.1.1碳化硅襯底概念
5.1.2碳化硅性質
5.1.3碳化硅主要類型及應用領域
5.1.4碳化硅襯底標準
5.2 國內外碳化硅襯底產業(yè)及市場分析
5.2.1國外SiC晶片市場分析
5.2.2國外企業(yè)及其產品介紹
5.2.2.1 CREE
5.2.2.2 SiCrystal
5.2.2.3道康寧
5.2.2.4新日鐵集團
5.2.2.5普利司通
5.2.3國內SiC晶片生產及需求分析
5.2.4國內SiC晶片技術發(fā)展趨勢
5.2.5國內研發(fā)、生產企業(yè)及其產品簡介
5.3 國內外碳化硅襯底行業(yè)的需求分析
5.3.1國內市場對碳化硅襯底的需求分析
5.3.2軍事領域對碳化硅襯底的需求分析
5.4 碳化硅襯底技術分析
5.4.1國外碳化硅技術現(xiàn)狀分析
5.4.2國內碳化硅生產技術與研究現(xiàn)狀
第六章硅襯底篇
6.1 硅襯底概述
6.1.1硅襯底概念
6.1.2硅襯底材料的優(yōu)勢
6.1.3部分涉及單晶硅及硅拋光片國家及SEMI標準
6.2 國內外市場對硅襯底材料市場的需求
6.2.1 LED產業(yè)對硅襯底材料的需求潛力分析
6.2.2硅襯底材料在其他新興領域的需求
6.3 國內硅襯底生產技術分析
第七章砷化鎵篇
7.1 砷化鎵材料概述
7.1.1砷化鎵的概念
7.1.2砷化鎵分類
7.1.2.1 按照應用領域不同分類
7.1.2.2 按照工藝方法不同的分類
7.1.3砷化鎵生長方法概述
7.2 國內外砷化鎵材料的發(fā)展
7.2.1境外砷化鎵材料的發(fā)展
7.2.2境外砷化鎵材料市場的發(fā)展
7.2.3境外砷化鎵企業(yè)的現(xiàn)狀與發(fā)展
7.2.4國內砷化鎵材料的現(xiàn)狀及發(fā)展
7.2.5國內砷化鎵企業(yè)的現(xiàn)狀
7.3 砷化鎵外延片的加工
7.3.1砷化鎵外延片的工藝法
7.3.1.1 氣相外延
7.3.1.2 液相外延
7.3.1.3 分子束外延(MBE)
7.3.1.4 MOCVD
7.3.2 LED使用中對砷化鎵外延材料的性能要求
第八章 其他襯底材料
8.1氧化鋅
8.1.1氧化鋅晶體概述
8.1.2氧化鋅晶體應用及發(fā)展
8.2 氮化鎵
8.2.1氮化鎵晶體概述
8.2.2氮化鎵晶體應用及發(fā)展
8.3 硼化鋯
8.3.1硼化鋯晶體概述
8.3.2硼化鋯晶體應用及發(fā)展
8.4 金屬合金
8.4.1金屬合金襯底概述
8.4.2金屬合金襯底應用及發(fā)展
8.5 其他晶體材料
8.5.1 鎂鋁尖晶石
8.5.2 LiAlO2和LiGaO2
圖1-1 LED主要產品構成圖
圖1-2 LED制造工序
圖1-3 LED各產業(yè)環(huán)節(jié)
圖1-4 LED上游產業(yè)環(huán)節(jié)
圖1-5 LED中游芯片產業(yè)環(huán)節(jié)
圖1-6 LED下游封裝產業(yè)環(huán)節(jié)
圖1-7 下游LED應用產品環(huán)節(jié)
圖1-8 我國LED區(qū)域企業(yè)數(shù)量產業(yè)分布
圖2-1 2015年我國半導體照明產業(yè)各環(huán)節(jié)產業(yè)規(guī)模
圖2-2 2007~2015年我國LED芯片市場銷售情況
圖2-3 我國LED封裝市場規(guī)模及增長率變化
圖2-4 我國2015年半導體照明應用領域分布
圖2-5 2011-2015年規(guī)劃投資額對比情況
圖2-6 2015年規(guī)劃投資結構分布情況
圖2-7 2015年規(guī)劃投資資金來源情況
圖2-8 2015年規(guī)劃投資額區(qū)域分布情況
圖3-1 LED 生產制程
圖3-2 LED芯片基本結構
圖3-3 藍寶石作為襯底的LED芯片
圖3-4 采用藍寶石襯底與碳化硅襯底的LED芯片
圖4-1 藍寶石CZ 拉晶法
圖4-2 藍寶石晶體KY 泡生長晶法
圖4-3 藍寶石襯底材料技術工藝路線
圖4-4 藍寶石襯底LED芯片成本構成
圖4-5 全球LED襯底主要廠商區(qū)域分布圖
圖4-6 2015年藍寶石晶棒全球市占率分布狀況
圖4-7 2015年藍寶石晶棒全球市占率分布
圖4-8 2015年藍寶石襯底片全球市占率分布
圖4-9 全球LED藍寶石襯底需求預測
圖4-10 藍寶石襯底的消費市場占率分布
圖4-6 2013~2015年Rubicon藍寶石晶棒月產能變化
圖4-7 2013~2015年STC藍寶石晶棒月產能變化
圖4-8 2013~2015年Monocrystal藍寶石晶棒月產能變化
圖4-9 2013~2015年越峰藍寶石晶棒月產能變化
圖4-10 2013~2015年京瓷藍寶石晶棒月產能變化
圖4-11 2013~2015年并木藍寶石晶棒月產能變化
圖4-12 2013~2015年Astek藍寶石晶棒月產能變化
圖4-13 三星LED與住友化學合資成立LED用藍寶石新公司動向一覽
圖4-14 國內主要藍寶石晶棒廠商所在位置一覽
圖4-15 2013-2015國內上游環(huán)節(jié)產能和全球市場總需求及預測
圖4-16 柴氏拉晶法(Czochralski method)之原理示意圖
圖4-17 泡生法原理示意圖
圖5-1 全球SiC市場區(qū)域分布比例
圖5-2 美國國防部2005年碳化硅/氮化鎵HEMT的發(fā)展計劃
圖6-1 硅襯底材料產品簡單生產過程
圖6-2 Si襯底GnN基LED芯片結構圖
圖7-1 早期GaAs晶體生長方法
圖7-2 GaAS晶片市場規(guī)模
圖7-3 世界砷化鎵市場發(fā)展
圖7-4 日本砷化鎵需求的發(fā)展
圖7-5 國內砷化鎵單晶生產線工藝方法所占比例
圖 7-6 國內GaAs產品內銷與出口比重
圖7-7 液相外延裝置的示意圖
圖7-8 MBE裝置的示意圖
圖7-9 分子束外延(MBE)設備
圖7-10 MOCVD外延裝置的示意圖
圖8-1 半導體化和物材料的禁帶寬度和晶格常數(shù)的關系
圖8-2 ZrB2晶體結構示意圖
圖8-3 采用金屬及藍寶石兩種襯底的GaN LED器件原理圖
表1-1 我國主要LED廠商產業(yè)鏈分布
表1-2 我國LED四大分布區(qū)域及其主要特點
表2-1 2015年國內LED產量、芯片產量及芯片國產率
表2-2 2015年國內LED投資項目一覽
表3-1 各類外延襯底基片材料主要物理性能對比
表3-2 各種襯底材料的綜合性能比較
表4-1 藍寶石單晶片基礎物理參數(shù)
表4-2 藍寶石產品類型
表4-3 2英寸藍寶石單晶片規(guī)格
表4-4 藍寶石襯底相關標準
表4-5 全球LED襯底材料主要生產企業(yè)
表4-6 2010年全球主要LED藍寶石基板生產廠商2英寸基板的厚度
表4-7 藍寶石晶棒除了應用于LED產業(yè)的用途
表4-8 2011-2015年全球前十大藍寶石襯底廠商產能情況
表4-9 2012-2015中國本土藍寶石襯底企業(yè)15強
表4-10 國內藍寶石企業(yè)近期項目投產計劃
表4-11 國內研制藍寶石長晶爐的主要企業(yè)
表4-12 藍寶石單晶制備方法統(tǒng)計
表4-13 藍寶石單晶主要生長技術方法的比較
表5-1 SiC襯底材料與硅及GaAs比較
表5-2 功率器件(4H·n型)用SiC單晶的各廠商生產現(xiàn)況
表5-3 SiC體單晶的生長技術比較
表5-4 國際SiC產品的水平
表7-1 砷化鎵基本性能參數(shù)
表7-2 GaAs晶體生長的各種方法的分類
表7-3 GaAs單晶各種生長工藝方法優(yōu)缺點的比較
表7-4 全球砷化鎵產業(yè)鏈構成
表7-5 國內主要砷化鎵單晶生產廠家生產情況
表7-6 國內砷化鎵單晶材料廠家的生產開發(fā)、生產情況
表7-7 砷化鎵的外延片特性
表8-1 列出了纖鋅礦GaN和閃鋅礦GaN的特性比較