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包郵 HF-125p 鴻冠5寸管道圓形風(fēng)機
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產(chǎn)品特點: |
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| 1.標(biāo)準(zhǔn)的導(dǎo)流葉片 | ||||||
| 2.可以安裝空間較狹小的地方 | ||||||
| 3.標(biāo)準(zhǔn)的過熱保護(hù) | ||||||
| 4.定時功能的設(shè)計 | ||||||
| 5.密封的滾珠軸承 | ||||||
| 6.電機防護(hù)等級：IP44和兩年的保修期 | ||||||
| 優(yōu)點: | ||||||
| 1.可移動的中心盒，易于清洗和保養(yǎng) | ||||||
| 2.更多的功能，更方便的安裝 | ||||||
| 3.可以安裝在任何的排氣管道上 | ||||||
| 4.可以選擇兩種速度 |
最小安裝空間 大風(fēng)量 高風(fēng)壓 低噪音 安裝維護(hù)方便 純銅線電機 雙滾珠軸承 出口品泛應(yīng)用于住宅，公寓，別墅，辦公室，會議室，商場，賓館，酒樓，電影院，歌舞廳，車站等場所。 防水等級IP44 適合長距離管道送風(fēng)換氣，風(fēng)機質(zhì)保一年. 
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指針的內(nèi)容是存儲地址在存儲器中有大量的存儲元，把它們按相同的位劃分為組，組內(nèi)所有的存儲元同時進(jìn)行讀出或?qū)懭氩僮?，這樣的一組存儲元稱為一個存儲單元。一個存儲單元通?？梢源娣乓粋€字節(jié)；存儲單元是CPU訪問存儲器的基本單位。
在計算機中最小的信息單位是bit，也就是一個二進(jìn)制位，8個bit組成一個Byte，也就是字節(jié)。一個存儲單元可以存儲一個字節(jié)，也就是8個二進(jìn)制位。計算機的存儲器容量是以字節(jié)為最小單位來計算的，對于一個有128個存儲單元的存儲器，可以說它的容量為128字節(jié)。如果有一個1KB的存儲器則它有1024個存儲單元，它的編號為從0－1023。存儲器被劃分成了若干個存儲單元，每個存儲單元都是從0開始順序編號，如一個存儲器有128個存儲單元，則它的編號就是從0-127。
存儲地址一般用十六進(jìn)制數(shù)表示，而每一個存儲器地址中又存放著一組二進(jìn)制（或十六進(jìn)制）表示的數(shù)，通常稱為該地址的內(nèi)容。值得注意的是，內(nèi)儲單元的地址和地址中的內(nèi)容兩者是不一樣的。前者是存儲單元的編號，表示存儲器總的一個位置，而后者表示這個位置里存放的數(shù)據(jù)。正如一個是房間號碼，一個是房間里住的人一樣。
存放一個機器字的存儲單元，通常稱為字存儲單元，相應(yīng)的單元地址叫字地址。而存放一個字節(jié)的單元，稱為字節(jié)存儲單元，相應(yīng)的地址稱為字節(jié)地址。如果計算機中可以編址的最小單元是字存儲單元，則該計算機稱為按字尋址的計算機。如果計算機中可編址的最小單位是字節(jié)，則該計算機稱為按字節(jié)尋址的計算機。如果機器字長等于存儲器單元的位數(shù)，一個機器字可以包含數(shù)個字節(jié)，所以一個存儲單元也可以包含數(shù)個能夠單獨編址的字節(jié)地址。例如一個16位二進(jìn)制的字存儲單元可存放兩個字節(jié)，可以按字地址尋址，也可以按字節(jié)地址尋址。當(dāng)用字節(jié)地址尋址時，16位的存儲單元占兩個字節(jié)地址。
2008年8月18日，美國IBM公司、AMD以及紐約州立大學(xué)Albany分校的納米科學(xué)與工程學(xué)院（CNSE）等機構(gòu)共同宣布，世界上首個22納米節(jié)點有效靜態(tài)隨機存儲器（SRAM）研制成功。這也是全世界首次宣布在300毫米研究設(shè)備環(huán)境下，制造出有效存儲單元。SRAM芯片是更復(fù)雜的設(shè)備，比如微處理器的“先驅(qū)”。SRAM單元的尺寸更是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)。最新的SRAM單元利用傳統(tǒng)的六晶體管設(shè)計，僅占0.1平方微米，打破了此前的SRAM尺度縮小障礙。
新的研究工作是在紐約州立大學(xué)Albany分校的納米科學(xué)與工程學(xué)院（CNSE）完成的，IBM及其他伙伴的許多頂尖的半導(dǎo)體研究都在這里進(jìn)行。IBM科技研發(fā)部副總裁T.C.Chen博士稱，“我們正在可能性的終極邊緣進(jìn)行研究，朝著先進(jìn)的下一代半導(dǎo)體技術(shù)前進(jìn)。新的研究成果對于不斷驅(qū)動微電子設(shè)備小型化的追求，可以說至關(guān)重要?！?
22納米是芯片制造的下兩代，而下一代是32納米。在這方面，IBM及合作伙伴正在發(fā)展它們無與倫比的32納米高K金屬柵極工藝（high-Kmetalgatetechnology）。
從傳統(tǒng)上而言，SRAM芯片通過縮小基本構(gòu)建單元，來制造得更加緊密。IBM聯(lián)盟的研究人員優(yōu)化了SRAM單元的設(shè)計和電路圖，從而提升了穩(wěn)定性，此外，為了制造新型SRAM單元，他們還開發(fā)出幾種新的制作工藝流程。研究人員利用高NA浸沒式光刻（high-NAimmersionlithography）技術(shù)刻出了模式維度和密度，并且在先進(jìn)的300毫米半導(dǎo)體研究環(huán)境中制作了相關(guān)部件。
與SRAM單元相關(guān)的關(guān)鍵技術(shù)包括：邊帶高K金屬柵極、<25納米柵極長度晶體管、超薄隔離結(jié)構(gòu)（spacer）、共同摻雜、先進(jìn)激活技術(shù)、極薄硅化物膜以及嵌入式銅觸點等。
據(jù)悉，在2008年12月15至17日美國舊金山將要舉行的IEEE國際電子設(shè)備（IEDM）年會上，還會有專門的報告來介紹最新成果的細(xì)節(jié)。
