氣體傳感器闡述
半導(dǎo)體氣體傳感器可分為電阻型和非電阻型結(jié)型、MOSFET型、電容型。電阻型氣敏器件是氣體分子引起敏感材料電阻變；非電阻型氣敏器件有Ms二極管和結(jié)型二極管以場(chǎng)效應(yīng)管MSFET，它利用敏感氣體會(huì)改變MOSFET開啟電壓，其與ISFET離子敏傳感器件相同。
氣體傳感器類型
在SnO2材料內(nèi)摻雜是改善傳感器性，添加Pt、Pd、Ir等不僅能有效地提高元件靈敏度和響應(yīng)時(shí)間，而且，催劑不同，導(dǎo)致不同吸附傾向，從而改善性。例如在SnO2氣敏材料中摻雜Pt、Pd、Au提高對(duì)CH4靈敏度，摻雜Ir可降低對(duì)CH4靈敏度，摻雜Pt、Au提高對(duì)H2靈敏度，摻雜Pd降低對(duì)H2靈敏度。
氣體傳感器定做
4、穩(wěn)定性
實(shí)際中，存在UT隨時(shí)間漂移特性，為此，采用在HCl氣氛中生長(zhǎng)一層SiO2絕緣層，顯著改善UT漂移。除氫氣外，其他氣體不能通過鈀柵，其他氣體Pd—MOSFET氣敏傳感器要采用一定措施，如CO敏MOSFET時(shí)要在鈀柵上約20nm小孔，就允許CO氣體通過。另外，由于Pd—MOSFET對(duì)氫氣有較高靈敏度，而對(duì)CO靈敏度卻較低，為此可在鈀柵上蒸發(fā)一層厚約20nm鋁作保護(hù)層，阻止氫氣通過。鈀對(duì)氨氣反應(yīng)催較弱，為此，要先在SiO2絕緣層上沉淀一層活性金屬，如Pt、Ir、La等。再鈀柵，可制成氨氣敏MOSFET。
