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PM200CSD060 IGBT模塊高壓IGBT電子元器件日本三菱全新原裝

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產(chǎn)品價(jià)格: 2200/人民幣 
最后更新: 2025-07-18 13:51:19
產(chǎn)品產(chǎn)地: 江蘇蘇州
發(fā)貨地: 江蘇蘇州 (發(fā)貨期:當(dāng)天內(nèi)發(fā)貨)
供應(yīng)數(shù)量: 不限
有效期: 長期有效
最少起訂: 1
瀏覽次數(shù): 7
詢價(jià)  家家通會(huì)員產(chǎn)品
  • 公司基本資料信息
    • 上海萱鴻電子科技有限公司
    • 沈經(jīng)理小姐 銷售經(jīng)理
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    • 郵件869217999@qq.com
    • 手機(jī)18501630698
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    • 傳真
    • 地址上海市松江區(qū)樂都西路825弄89,90號(hào)5層
    • 進(jìn)入商鋪
     
    產(chǎn)品詳細(xì)說明
    產(chǎn)品參數(shù)
    型號(hào)CM75DY-28H
    材質(zhì)
    批號(hào)22
    輸入電壓1200V
    輸出電流400A
    用途電源模塊
    是否進(jìn)口
    封裝標(biāo)準(zhǔn)封裝
    加工定制
    工作環(huán)境室內(nèi)式
    數(shù)量999
    品牌三菱

      上海萱鴻電子提供巴斯曼Bussmann、英飛凌infineon、西門康、西門子Siemens、三社、艾賽斯、日之出、富士等廠家熔斷器、可控硅模塊、晶閘管、IGBT模塊、二極管整流橋的半島體模塊,咨詢熱線:。

      三菱系列:

      1 IGBT額定電壓的選擇

      三相380V輸入電壓經(jīng)過整流和濾波后,直流電壓的值:

      在開關(guān)工作的條件下,fGBT的額定電壓一般要求高于直流母線電壓的兩倍,根據(jù)IGBT規(guī)格的電壓等級(jí),選擇1 電壓等級(jí)的IGBT。

      2 IGBT額定電流的選擇

      以30kW器為例,負(fù)載電流約為79A,由于負(fù)載電氣啟動(dòng)或加速時(shí),電流過載,一般要求1分鐘的時(shí)間內(nèi),承受1.5倍的過流,擇負(fù)載電流約為 ,建議選擇電流等級(jí)的IGBT。

      3 IGBT開關(guān)參數(shù)的選擇

      的開關(guān)頻率一般小于10 kH Z,而在實(shí)際工作的過程中,fGBT的通態(tài)損耗所占比重比較大,建議選擇低通態(tài)型IGBT,以30 kW ,逆變頻率小于10kH z的變頻器為例,選擇IGBT的開關(guān)參數(shù)見表1。

      4 影響IGBT可靠性因素

      1)柵電壓。

      IGBT工作時(shí),必須有正向柵電壓,常用的柵驅(qū)動(dòng)電壓值為15~187,用到20V, 而棚電壓與柵極Rg有很大關(guān)系,在設(shè)計(jì)IGBT驅(qū)動(dòng)電路時(shí), 參考IGBT Datasheet中的額定Rg值,設(shè)計(jì)合適驅(qū)動(dòng)參數(shù),保證合理正向柵電壓。因?yàn)镮GBT的工作狀態(tài)與正向棚電壓有很大關(guān)系,正向柵電壓越高,開通損耗越小,正向壓降也咯小。

      在橋式電路和大功率應(yīng)用情況下,為了避免干擾,在IGBT關(guān)斷時(shí),柵極加負(fù)電壓,一般在-5- 15V,保證IGBT的關(guān)斷,避免Miller效應(yīng)影響。

      2)Miller效應(yīng)。

      為了降低Miller效應(yīng)的影響,在IGBT柵驅(qū)動(dòng)電路中采用改進(jìn)措施:(1)開通和關(guān)斷采用不同柵電阻Rg,on和Rg,off,確保IGBT的有效開通和關(guān)斷;(2)柵源間加c,對(duì)Miller效應(yīng)產(chǎn)生的電壓進(jìn)行能量泄放;(3)關(guān)斷時(shí)加負(fù)柵壓。在實(shí)際設(shè)計(jì)中,采用三者合理組合,對(duì)改進(jìn)Mille r效應(yīng)的效果更佳。

      5 結(jié)束語

     ?。?)IGBT是逆變器主要使用的主要功率開關(guān)器件,也是逆變器中主要工作器件,合理選擇IGBT是保證IGBT可靠工作的前提,同時(shí),要根據(jù)三相逆變電路結(jié)構(gòu)的特點(diǎn),選擇低通態(tài)型IGBT為佳。


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