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電源成本也肯定會(huì)有一些增加，其次，我們可以仔細(xì)的研究一下led屏幕驅(qū)動(dòng)IC，如所示輸出端為一個(gè)MOS開(kāi)關(guān)管(如)，控制輸出端口的關(guān)或者開(kāi)，輸出端口壓降即VDS=.65V左右，這是工藝和材料所決定，要把VDS降為.2V甚至.1V，本身所需的面積必然增大。在MOS管的結(jié)構(gòu)中可以看到，在GS，GD之間存在寄生電容，而MOS管的驅(qū)動(dòng)，實(shí)際上就是對(duì)電容的充放電。這個(gè)充放電的過(guò)程是需要段時(shí)間的，面積如果增加，在MOS管上的寄生電容也會(huì)隨之增大，如此，導(dǎo)致的后果就是整個(gè)IC的端口響應(yīng)速度下降，這對(duì)于一個(gè)LED屏幕驅(qū)動(dòng)IC將是致命的弱點(diǎn)，想從IC上入手，把轉(zhuǎn)折電壓降低，同時(shí)使驅(qū)動(dòng)IC有足夠的響應(yīng)速度，起決定作用的是工藝，這是是難以實(shí)現(xiàn)的。
