NP4N10MR-G南麟100V N溝道增強型MOSFET

NP4N10MR-G南麟100V N溝道增強型MOSFET

NP4N10MR-G南麟100V N溝道增強型MOSFET

描述

NP4N10MR采用先進的溝槽技術

提供出色的RDS（ON）、低柵極電荷和高

超低導通電阻密度電池設計。這

該裝置適合用作負載開關或PWM

應用。

一般特征

? VDS=100V，ID=4A RDS（開）（典型值）=110m? @VGS=10V

RDS（開）（典型值）=150m? @VGS=4.5V

? 高功率和電流處理能力

? 獲得無鉛產品

? 表面貼裝封裝

應用

? PWM應用

? 負荷開關

包裹

? SOT-23-3L

示意圖

D G S

標記和針腳分配