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設(shè)備介紹： 本設(shè)備是借助射頻等使含有薄膜組成原子的氣體電離，在局部形成等離子體，而等離子體化學(xué)活性很強(qiáng)，很容易發(fā)生反應(yīng)，在基片上沉積出所期望的薄膜。為了使化學(xué)反應(yīng)能在較低的溫度下進(jìn)行，利用了等離子體的活性來促進(jìn)反應(yīng)，因而這種CVD稱為等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)。
主要特點(diǎn)：
1、通過射頻電源把石英真空室內(nèi)的氣體變?yōu)殡x子態(tài)。
2、PECVD比普通CVD進(jìn)行化學(xué)氣相沉積所需的溫度更低。
3、可以通過射頻電源的頻率來控制所沉積薄膜的應(yīng)力大小。
4、PECVD比普通CVD進(jìn)行化學(xué)氣相沉積速率高、均勻性好、一致性和穩(wěn)定性高。
5、廣泛應(yīng)用于：各種薄膜的生長，如：SiOx, SiNx, SiOxNy 和無定型硅(a-Si:H) 等。
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開啟式真空管式爐技術(shù)參數(shù) |
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石英管尺寸 |
Φ100*L1200mm |
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加熱元件 |
電阻絲 |
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測(cè)溫元件 |
N型熱電偶 |
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加熱區(qū)/恒溫區(qū) |
440mm/200mm |
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工作溫度 |
≤1100℃ |
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控溫模式 |
PID控制和自整定調(diào)節(jié)，智能化30段可編程控制 |
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控溫精度 |
±1℃ |
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電功率 |
AC220V/50HZ/3KW |
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質(zhì)量供氣系統(tǒng) |
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標(biāo)準(zhǔn)量程 |
50-500ml/min |
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壓力表測(cè)量范圍 |
-0.1Mpa～0.15Mpa |
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極限壓力 |
3MPa |
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針閥 |
316不銹鋼 |
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電功率 |
AC220V/50HZ/20W |
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響應(yīng)時(shí)間 |
氣特性：1～4 Sec，電特性：10 Sec |
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重復(fù)精度 |
±0.2% |
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真空系統(tǒng)參數(shù) |
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工作電電壓 |
220V±10% 50~60HZ |
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功率 |
400W |
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極限真空 |
4X10-1Pa |
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進(jìn)/排氣口口徑 |
KF25 |
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射頻電源 |
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信號(hào)頻率 |
13.56 MHz±0.005% |
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功率輸出范圍 |
5W-500W |
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供電電壓 |
單相交流（187V-253V） 頻率50/60HZ |
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整機(jī)效率 |
>=70% |
