北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司原裝正品現(xiàn)貨供應(yīng)西門(mén)子IGBT模塊6SY7000-0AD03

德國(guó)西門(mén)子變頻器專(zhuān)用IGBT功率模塊6SY7000-0AD03

1單元單管大功率IGBT模塊6SY7000-0AD03

6SY7000-0AD03技術(shù)參數(shù)：vces=1600v ； ic=1000A

6SY7000-0AD03用中的注意事項(xiàng)
由于IGBT模塊為MOSFET結(jié)構(gòu)，IGBT的柵極通過(guò)一層氧化膜與發(fā)射極實(shí)現(xiàn)電隔離。由于此氧化膜很薄，其擊穿電壓一般達(dá)到20～30V。因此因靜電而導(dǎo)致柵極擊穿是IGBT失效的常見(jiàn)原因之一。因此使用中要注意以下幾點(diǎn)：
在使用模塊時(shí)，盡量不要用手觸摸驅(qū)動(dòng)端子部分，當(dāng)必須要觸摸模塊端子時(shí)，要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進(jìn)行放電后，再觸摸; 在用導(dǎo)電材料連接模塊驅(qū)動(dòng)端子時(shí)，在配線(xiàn)未接好之前請(qǐng)先不要接上模塊; 盡量在底板良好接地的情況下操作。 在應(yīng)用中有時(shí)雖然保證了柵極驅(qū)動(dòng)電壓沒(méi)有超過(guò)柵極最大額定電壓，但柵極連線(xiàn)的寄生電感和柵極與集電極間的電容耦合，也會(huì)產(chǎn)生使氧化層損壞的振蕩電壓。為此，通常采用雙絞線(xiàn)來(lái)傳送驅(qū)動(dòng)信號(hào)，以減少寄生電感。在柵極連線(xiàn)中串聯(lián)小電阻也可以抑制振蕩電壓。

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6SY7000-0AA30 6SY7000-0AB30 6SY7000-0AC30
6SY7000-0AA31 6SY7000-0AB31 6SY7000-0AC31
6SY7000-0AA32 6SY7000-0AB32 6SY7000-0AC32
6SY7000-0AA33 6SY7000-0AB33 6SY7000-0AC33
6SY7000-0AA34 6SY7000-0AB34 6SY7000-0AC34
6SY7000-0AA35 6SY7000-0AB35 6SY7000-0AC35
6SY7000-0AA36 6SY7000-0AB36 6SY7000-0AC36
6SY7000-0AA37 6SY7000-0AB37 6SY7000-0AC37
6SY7000-0AA38 6SY7000-0AB38 6SY7000-0AC38
6SY7000-0AA39 6SY7000-0AB39 6SY7000-0AC39
6SY7000-0AA40 6SY7000-0AB40 6SY7000-0AC40
6SY7000-0AA41 6SY7000-0AB41 6SY7000-0AC41
6SY7000-0AA42 6SY7000-0AB42 6SY7000-0AC42
6SY7000-0AA43 6SY7000-0AB43 6SY7000-0AC43
6SY7000-0AA44 6SY7000-0AB44 6SY7000-0AC44
6SY7000-0AA45 6SY7000-0AB45 6SY7000-0AC45
6SY7000-0AA46 6SY7000-0AB46 6SY7000-0AC46
6SY7000-0AA47 6SY7000-0AB47 6SY7000-0AC47
6SY7000-0AA48 6SY7000-0AB48 6SY7000-0AC48
6SY7000-0AA49 6SY7000-0AB49 6SY7000-0AC49
6SY7000-0AA50 6SY7000-0AB50 6SY7000-0AC50
6SY7000-0AA51 6SY7000-0AB51 6SY7000-0AC51

北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司原裝正品現(xiàn)貨供應(yīng)西門(mén)子IGBT模塊6SY7000-0AD03

6SY7010-0AA12 6SY7010-0AB12 6SY7010-3AA11
6SY7010-0AA13 6SY7010-0AB13 6SY7010-3AA12
6SY7010-0AA14 6SY7010-0AB14 6SY7010-3AA13
6SY7010-0AA15 6SY7010-0AB15 6SY7010-3AA14
6SY7010-0AA16 6SY7010-0AB16 6SY7010-3AA15
6SY7010-0AA17 6SY7010-0AB17 6SY7010-3AA16
6SY7010-0AA18 6SY7010-0AB18 6SY7010-3AA17
6SY7010-0AA19 6SY7010-0AB19 6SY7010-3AA18
6SY7010-0AA20 6SY7010-0AB20 6SY7010-3AA19
6SY7010-0AA21 6SY7010-0AB21 6SY7010-3AA20
6SY7010-0AA22 6SY7010-0AB22 6SY7010-2AA01
6SY7010-0AA23 6SY7010-0AB23 6SY7010-2AA02

6SY7010-0AA24 6SY7010-0AB24 6SY7010-2AA03

IGBT芯片發(fā)展進(jìn)程

　　IGBT芯片始于19世紀(jì)80年代中期。30年以來(lái)，就FOM(優(yōu)點(diǎn)指數(shù))來(lái)說(shuō)，今日的IGBT芯片比第一代性能提升了20倍左右，其中改良技術(shù)包括：精細(xì)化加工工藝、柵式IGBT的開(kāi)發(fā)(如三菱電機(jī)的CSTBT)，以及薄晶圓的開(kāi)發(fā)等等。如今，三菱電機(jī)的IGBT芯片已經(jīng)踏入第7代，正朝第8代邁進(jìn)。

　　隨著產(chǎn)品的更新?lián)Q代，功耗越來(lái)越低，尺寸越來(lái)越小。從80年代中期至今，芯片尺寸只是原來(lái)的1/4。

　　根據(jù)IGBT電流容量和市場(chǎng)需求，功率器件分成四大類(lèi)，包括用于家電變頻器的小功率器件，用于工業(yè)的較大功率器件，應(yīng)用在電動(dòng)汽車(chē)的中功率器件，用于電力和牽引的大功率器件。今后都將朝高電流密度、小型化封裝及低損耗方向演進(jìn)。

　　具體改良措施

　　三菱電機(jī)第7代IGBT模塊，功耗降低了約15%~20%，分NX(通用)系列和STD(標(biāo)準(zhǔn))系列兩種封裝，取消了絕緣基板，提高了散熱性，使產(chǎn)品變得更輕，效率提升了35%。為了降低反復(fù)開(kāi)關(guān)造成的噪音，三菱電機(jī)增強(qiáng)了通過(guò)柵極電阻調(diào)節(jié)dv/dt的可控性。

　　● 晶圓片更薄。芯片變薄，使功耗得以降低，但變薄后耐壓特性會(huì)變差，所以要適度逐層調(diào)整，才能使之更耐用和更有效。第7代IGBT芯片涵蓋的電壓等級(jí)有600V、1200V和1700V。 在晶圓尺寸方面，從2000年開(kāi)始的5英寸，發(fā)展至今日的8英寸，最薄達(dá)到50微米。晶圓還會(huì)繼續(xù)朝12英寸發(fā)展，產(chǎn)品變得更薄，電阻更低。

 

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6SY8101-0AA00 6SY8101-0AB02 6SY8102-0CC20
6SY8101-0AA01 6SY8101-0AB03 6SY8102-0CC30
6SY8101-0AA02 6SY8101-0AB04 6SY8102-0CD10
6SY8101-0AA03 6SY8101-0AB05 6SY8102-0CD20
6SY8101-0AA04 6SY8101-0AB06 6SY8101-0AB72
6SY8101-0AA06 6SY8101-0AB07 6SY8101-0AB73
6SY8101-0AA08 6SY8101-0AB08 6SY8101-0AB74
6SY8101-0AA11 6SY8101-0AB09 6SY8101-0AB75
6SY8101-0AA12 6SY8101-0AB10 6SY8101-0AB76
6SY8101-0AA13 6SY8101-0AB11 6SY8101-0AB77
6SY8101-0AA14 6SY8101-0AB12 6SY8101-0AB78
6SY8101-0AA16 6SY8101-0AB13 6SY8101-0AB79
6SY8101-0AA17 6SY8101-0AB14 6SY8101-0AB80
6SY8101-0AA18 6SY8101-0AB15 6SY8101-0AB81
6SY8101-0AA22 6SY8101-0AB16 6SY8101-0AB82
6SY8101-0AA23 6SY8101-0AB17 6SY8101-0AB83

6SY9741 6SY9742 6SY9743 6SY9744 6SY9745
6SY9746 6SY9747 6SY9748 6SY9750 6SY9751
6SY9752 6SY9753 6SY9754 6SY9756 6SY9757
6SY9758 6SY9761 6SY9762 6SY9764 6SY9765
6SY9766 6SY9767 6SY9768 6SY9771 6SY9772
6SY9774 6SY9775 6SY9776 6SY9778 6SY9780
6SY9781 6SY9782 6SY9783 6SY9784 6SY9785
6SY9786 6SY9787 6SY9790 6SY9791 6SY9792
6SY9793 6SY9794 6SY9795 6SY9798 6SY9800
6SY9801 6SY9802 6SY9803 6SY9804 6SY9805
6SY9806 6SY9807 6SY9808 6SY9810
6SY9812 6SY9817 6SY9824 6SY9827 6SY9828
6SY9891 6SY9896 6SY9897 6SY9900 6SY9901
6SY9902 6SY9903 6SY9904 6SY9905
6SY9907 6SY9908 6SY9910 6SY9911 6SY9912
6SY9913 6SY9921 特價(jià)供應(yīng)6SY7000 6SY7010
6SY7070 6SY7100 6SY8101 6SY8102 6SY9000

CUVC板配件型號(hào)
6SE1103-4AB00 6SE3016-4BC00
6SE3121-3DC40 6SE3221-7DG40
6SE1116-2AB00 6SE3224-2DJ50
6SE3231-3CK40 6SE9215-2CB40
6SE3223-0DH40 6SE3021-3DC00
6SE3121-7DG40 6SE3221-7FG40
6SE2002-1AA00 6SE3224-2DS45
6SE3231-3CK40 6SE9216-8CB40
6SE3223-0DH50 6SE3111-5BA40
6SE3122-4DG40 6SE3221-8CC40
6SE2003-2AA00 6SE3225-2FJ40

西門(mén)子 EUPEC  IGBT 模塊（耐壓 600V/1200V/1700V 系列）
型號(hào) （ 1U  1200V ）   技術(shù)指標(biāo) 型號(hào) (1U   1700V) 技術(shù)指標(biāo)
BSM200GA120DN2 200A/1200V/1U
BSM200GA170DN2 200A/1700V/1U
BSM300GA120DN2 300A/1200V/1U
BSM300GA170DN2 300A/1700V/1U
BSM400GA120DN2 400A/1200V/1U
BSM400GA170DLC 400A/1700V/1U
BSM200GA120DLC 200A/1200V/1U
BSM200GA170DLC 200A/1700V/1U
BSM300GA120DLC 300A/1200V/1U
BSM300GA170DLC 300A/1700V/1U
BSM400GA120DLC 400A/1200V/1U 　 　
型號(hào)2U/600/1200/1700V ） 技術(shù)指標(biāo) 型號(hào)(2U  1200V/1700V) 技術(shù)指標(biāo)
BSM50GB60DLC 50A/600V/2U
BSM75GB170DN2 75A/1700V/2U
BSM75GB60DLC 75A/600V/2U
BSM100GB170DN2 100A/1700V/2U
BSM100GB60DLC 100A/600V/2U
BSM150GB170DN2 150A/1700V/2U
BSM150GB60DLC 150A/600V/2U
BSM200GB170DLC 200A/1700V/2U
BSM200GB60DLC 200A/600V/2U
BSM25GAL120DN2 25A/1200V/2U
BSM300GB60DLC 300A/600V/2U
BSM50GAL120DN2 50A/1200V/2U
BSM25GB120DN2 25A/1200V/2U
BSM75GAL120DN2 75A/1200V/2U
BSM35GB120DN2 35A/1200V/2U
BSM100GAL120DN2 100A/1200V/2U
BSM50GB120DN2 50A/1200V/2U
BSM150GAL120DN2 150A/1200V/2U
BSM75GB120DN2 75A/1200V/2U
BSM200GAL120DN2 200A/1200V/2U
BSM100GB120DN2K 100A/1200V/2U
BSM300GAL120DN2 300A/1200V/2U
BSM35GB120DLC 35A/1200V/2U
BSM100GAL120DLCK 100A/1200V/2U

 

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