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LED阻容降壓 玉米燈專用 1812/154/184/394/564 2.5T 高壓電容
日本原裝進(jìn)口貼片電容1812 16V 100UF
TDK 原裝環(huán)保新貨
C4532X5R1C107MT000N
1812107M16V X5R
500/盤
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TDK日本進(jìn)口1812 4.7UF 50V 100V貼片電容
TDK 原裝環(huán)保新貨
C4532X7R1H475KT000N C4532X7R2A475KT
1812 475K 50V 100V X7R
DF<5%
1000/盤
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TDK日本進(jìn)口1812 2.2UF 50V 100V 200V貼片電容
TDK 原裝環(huán)保新貨
C4532X7R2A225MT0L0U
1812 2.2u 100V 200V X7R
DF<5%
500/盤
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TDK 原裝環(huán)保新貨
C4532X5R0J107MT000N
1812107M6.3V X5R
500/盤
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TDK日本進(jìn)口1812 22UF 25V 50V X7R貼片電容
TDK 原裝環(huán)保新貨
C4532X5R1E226MT000N C4532X7R1H226KT
1812226M25V 50V X5R X7R
500/盤
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TDK 原裝環(huán)保新貨
C4532X7T2W334KT0L0U
1812 450V 330NF X7T 10%
500/盤
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TDK原裝現(xiàn)貨庫存
1812 X5R大容量(可代替鉭電 耐電壓沖擊好,ESR低)
封裝尺寸:1812(4.5mm*3.2mm)
標(biāo)稱電壓:25V 16V 10V
容值:22uF 33uF 47uF
DF<5%
主要用于:各類電源和網(wǎng)絡(luò)通訊產(chǎn)品,代替鉭電 歡迎查詢和索樣!
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TDK原裝
各類無線高頻產(chǎn)品專用
封裝尺寸 1812(4.5*3.2mm)
高頻NP0材質(zhì)
超低損耗(DF>0.1%)
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TDK原裝1812/4532 4.7UF 6.8UF 10UF 22UF貼片電容
C4532X7R1H475KT C4532X7R1H685KT C4532X7R1H106KT C4532X7R1H226KT
C4532X7R1E475KT C4532X7R1E685KT C4532X7R1E106KT
TDK原裝現(xiàn)貨庫存
1812 X7R +-10%
封裝尺寸:1812(4.5mm*3.2mm)
標(biāo)稱電壓:50V和25V
容值:4.7uF 6.8uF 10Uf 22UF
DF<5%<>
工作溫度:-55~+125度
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C4532X7T2W474KT C4532X7T2E684KT C4532X7T2T105KT
TDK原裝現(xiàn)貨庫存
1812 450V和250V ( 代替CBB,縮小電源體積)
封裝尺寸:1812(4.5mm*3.2mm)
標(biāo)稱電壓:450V和250V
容值:0.47u 0.68u 1uF
DF<2.5%
工作溫度:-55~+125度
主要用于:LED阻容降壓,ADSL,電源模塊,HID安定器,LED恒流驅(qū)動(dòng)…等
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TDK原裝進(jìn)口
各類無線高頻產(chǎn)品專用
封裝尺寸 1206(3.2*1.6mm)
高頻NP0材質(zhì)
超低損耗(DF>0.1%)
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原裝進(jìn)口TDK貼片電容10UF 22UF 33UF 47UF 100UF
TDK原裝環(huán)保新貨
C3225X5R1C226KT000N C3225X7R1H106KT C3225X7R1V226KT C3225X5R1V476KT
1210（3.2MM*2.5MM） 16V 25V 35V 50V X7R X5R
DF<5%
主要用于:各類電源和網(wǎng)絡(luò)通訊產(chǎn)品,可代替鉭電 歡迎查詢和索樣!
工作溫度:-55~+125度
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TDK原裝貼片電容1206 22UF 16V 25V X7R
TDK 原裝環(huán)保新貨
C3216X7R1A226ZT000N C3216X7R1C226KT C3216X7R1E226KT
1206 226K 10V 16V 25V X7R X5R
DF<5%
主要用于:各類電源和網(wǎng)絡(luò)通訊產(chǎn)品,可代替鉭電 歡迎查詢和索樣!
工作溫度:-55~+125度
2K/盤
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TDK原裝貼片電容1206 100V 0.22UF 0.33UF 0.47UF 0.68UF
TDK 原裝新貨
C3216X7R2A684KT000N C3216X7R2A224KT000N C3216X7R2A334KT000N C3216X7R2A474KT000N
1206 684K 224K 334K 474K 50V 100V X7R +-10%
DF<2.5%
主要用于:各類電源和網(wǎng)絡(luò)通訊產(chǎn)品,可代替鉭電 歡迎查詢和索樣!
工作溫度:-55~+125度
2K/盤
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TDK原裝貼片電容1206 10UF 25V 35V 50V X7R
TDK原裝新貨 1206(3.2MM*1.6MM)
C3216X5R1C106KT000N C3216X7R1V106KT000N C3216X7R1H106KT000N
1206 106K 16V 25V 35V 50V X7R X5R
DF<5%
主要用于:各類電源和網(wǎng)絡(luò)通訊產(chǎn)品,可代替鉭電 歡迎查詢和索樣!
工作溫度:-55~+125度
2K/盤
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TDK 原裝環(huán)保新貨
C3216X7R1H474KT000N
1206 0.47U 50V X7R X7R
絕對真實(shí)庫存
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高壓貼片電容特性：
1.等效串聯(lián)電阻（ESR）小，阻抗（Z）低，與同等鉭電容或者鋁電解電容相比，ESR小幾十倍，能量利用率高，發(fā)熱小，價(jià)格低。
2.品種，規(guī)格齊全，體積小。容量從10pF到47uF，耐壓從10V-6000V，體積最小可以達(dá)到1X0.5mm.
3.無極性，可以使用在存在非常高的紋波電路或交流電路，而且裝配更為方便。
4.性能穩(wěn)定，即使被擊穿也不會(huì)燃燒，安全性高。
應(yīng)用于電子精密儀器。各種小型電子設(shè)備作諧振、耦合、濾波、旁路。
低容量電容NP0材料（10-6800pF）：適用頻率1-100MHz
1.溫度系數(shù)：0±30ppm／℃，-55℃～125℃；
2.電容量漂移：不超過±0.3％或±0.05pF（取較大者）。
3.老化特性：無
高容量電容X7R材料（6800pF以上）：適用頻率不超過10KHz
1.溫度特性：不超過±15％，-55℃～125℃。
2.老化特性：每10年變化1％ΔC，表現(xiàn)為10年變化約5％。
工作溫度為環(huán)境溫度與元件本體溫升之和。
降額設(shè)計(jì)
設(shè)計(jì)者在選用電容器工作電壓時(shí)，應(yīng)考慮施加在電容器兩端的直流電壓與交流電壓峰值之和不能超過額定電壓。為保證產(chǎn)品及線路的可靠性，在實(shí)際設(shè)計(jì)時(shí)建議降額使用
使用注意事項(xiàng)
工作溫度
電容器設(shè)計(jì)類別溫度范圍有−55℃～125℃、−55℃～85℃兩種，設(shè)計(jì)者必須確保工作溫度符合此范圍。為延長電容器的使用壽命，推薦工作溫度限制在低于上限類別溫度10℃～15℃。設(shè)計(jì)者考慮電容器的
高壓貼片電容用于:照明電源產(chǎn)品，高低頻無極燈電源, 通訊電源交換機(jī)，LED日光燈恒流驅(qū)動(dòng)電源,汽車HID燈(安定器),模塊電源、醫(yī)療電源，LED阻容降壓,、ASDL語音分離器、RJ45以太網(wǎng)接口、數(shù)碼相機(jī)的閃光燈、LED圣誕燈,節(jié)能燈等以及各類電子產(chǎn)品中.
主要用于電源濾波，電源降壓，倍壓，吸收浪涌保護(hù)IC,基本工作原理就是充電放電，當(dāng)然還有整流、振蕩以及其它的作用。應(yīng)用于電源電路，實(shí)現(xiàn)旁路、去藕、濾波和儲能
MLCC 制作工藝流程：
1、原材料——陶瓷粉配料關(guān)鍵的部分(原材料決定MLCC的性能)；
2、球磨——通過球磨機(jī)(大約經(jīng)過2-3天時(shí)間球磨將瓷份配料顆粒直徑達(dá)到微米級)；
3、配料——各種配料按照一定比例混合；
4、和漿——加添加劑將混合材料和成糊狀；
5、流沿——將糊狀漿體均勻涂在薄膜上(薄膜為特種材料，保證表面平整)；
6、印刷電極——將電極材料以一定規(guī)則印刷到流沿后的糊狀漿體上(電極層的錯(cuò)位在這個(gè)工藝上保證，不同MLCC的尺寸由該工藝保證)；
7、疊層——將印刷好電極的流沿漿體塊依照容值的不同疊加起來，形成電容坯體版(具體尺寸的電容值是由不同的層數(shù)確定的)；
8、層壓——使多層的坯體版能夠結(jié)合緊密；
9、切割——將坯體版切割成單體的坯體；
10、排膠——將粘合原材料的粘合劑用390攝氏度的高溫將其排除；
11、焙燒——用1300攝氏度的高溫將陶瓷粉燒結(jié)成陶瓷材料形成陶瓷顆粒(該過程持續(xù)幾天時(shí)間，如果在焙燒的過程中溫度控制不好就容易產(chǎn)生電容的脆裂)；
12、倒角——將長方體的棱角磨掉，并且將電極露出來，形成倒角陶瓷顆粒；
13、封端——將露出電極的倒角陶瓷顆粒豎立起來用銅或者銀材料將斷頭封起來形成銅(或銀)電極，并且鏈接粘合好電極版形成封端陶瓷顆粒(該工藝決定電容的)；
14、燒端——將封端陶瓷顆粒放到高溫爐里面將銅端(或銀端)電極燒結(jié)使其與電極版接觸縝密；形成陶瓷電容初體；
15、鍍鎳——將陶瓷電容初體電極端(銅端或銀端)電鍍上一層薄薄的鎳層，鎳層一定要完全覆蓋電極端銅或銀，形成陶瓷電容次體(該鎳層主要是屏蔽電極銅或銀與最外層的錫發(fā)生相互滲透，導(dǎo)致電容老衰)；
16、鍍錫——在鍍好鎳后的陶瓷電容次體上鍍上一層錫想成陶瓷電容成體(錫是易焊接材料，鍍錫工藝決定電容的可焊性)；
17、測試——該流程必測的四個(gè)指標(biāo)：耐電壓、電容量、DF值損耗、漏電流Ir和絕緣電阻Ri(該工藝區(qū)分電容的耐電壓值，電容的精確度等)
一NPO電容器
NPO是一種最常用的具有溫度補(bǔ)償特性的單片陶瓷電容器。它的填充介質(zhì)是由銣、釤和一些其它稀有氧化物組成的。
NPO電容器是電容量和介質(zhì)損耗最穩(wěn)定的電容器之一。在溫度從-55℃到+125℃時(shí)容量變化為0±30ppm/℃，電容量隨頻率的變化小于±0.3ΔC。NPO電容的漂移或滯后
小于±0.05%，相對大于±2%的薄膜電容來說是可以忽略不計(jì)的。其典型的容量相對使用壽命的變化小于±0.1%。NPO電容器隨封裝形式不同其電容量和介質(zhì)損耗隨頻率變化的特性也不同，大封裝尺寸的要比小封裝尺寸的頻率特性好。下表給出了NPO電容器可選取的容量范圍。
NPO電容器適合用于振蕩器、諧振器的槽路電容，以及高頻電路中的耦合電容。
二X7R電容器
X7R電容器被稱為溫度穩(wěn)定型的陶瓷電容器。當(dāng)溫度在-55℃到+125℃時(shí)其容量變化為15%，需要注意的是此時(shí)電容器容量變化是非線性的。
X7R電容器的容量在不同的電壓和頻率條件下是不同的，它也隨時(shí)間的變化而變化，大約每10年變化1%ΔC，表現(xiàn)為10年變化了約5%。
X7R電容器主要應(yīng)用于要求不高的工業(yè)應(yīng)用，而且當(dāng)電壓變化時(shí)其容量變化是可以接受的條件下。它的主要特點(diǎn)是在相同的體積下電容量可以做的比較大。
