日本Shimadzu島津AIN氮化鋁陶瓷真空燒結(jié)爐VHSgr40/40/150適用于AIN氮化鋁基板和AIN結(jié)構(gòu)件從脫氣到大氣壓燒結(jié)的連續(xù)處理。新能源汽車、半導(dǎo)體、5G通訊、 LED等設(shè)備上的散熱基板及其他結(jié)構(gòu)件的燒結(jié)處理。

氮化鋁陶瓷具備優(yōu)異的綜合性能，是近年來受到廣泛關(guān)注的陶瓷，是高密度、大功率和高速集成電路基板和封裝的理想材料。而在氮化鋁—系列重要性質(zhì)中，最是高熱導(dǎo)率。島津AIN氮化鋁基板真空燒結(jié)爐VHSgr40/40/150氮化鋁陶瓷基板熱導(dǎo)率理論上可達320w/(m·k)，但由于氮化鋁中有雜質(zhì)和缺陷，導(dǎo)致氮化鋁產(chǎn)品的熱導(dǎo)率遠達不到理論值。既要達到致密燒結(jié)、降低雜質(zhì)含量、減少晶界相的含量，又要簡化工藝、降低成本，在AlN陶瓷的燒結(jié)過程中關(guān)鍵要做到：—是選擇適當(dāng)?shù)臒Y(jié)工藝及氣氛；二是選擇適當(dāng)?shù)臒Y(jié)助劑。

Shimadzu島津AIN氮化鋁陶瓷真空燒結(jié)爐是目前制備高熱導(dǎo)率致密化AlN陶瓷的主要工藝方法之一。所謂熱壓燒結(jié)，即在一定壓力下燒結(jié)陶瓷，可以使加熱燒結(jié)和加壓成型同時進行。降低氮化鋁陶瓷的燒結(jié)溫度，促進陶瓷致密化。以25MPa高壓，1700℃下燒結(jié)4h便制得了密度為3.26g/cm3、熱導(dǎo)率為200W/(m.K)的AlN陶瓷燒結(jié)體，AlN晶格氧含量為0.49wt，比1800℃下燒結(jié)8h得到的AlN燒結(jié)體的晶格氧含量（1.25wt）低了60多，熱導(dǎo)率得以提高

無壓燒結(jié)亦稱常壓燒結(jié)，Shimadzu島津AIN氮化鋁陶瓷真空燒結(jié)爐是AlN陶瓷傳統(tǒng)的制備工藝。在常壓燒結(jié)過程中，坯體不受外加壓力作用，僅在一般氣壓下經(jīng)加熱由粉末顆粒的聚集體轉(zhuǎn)變?yōu)榫Я＝Y(jié)合體，常壓燒結(jié)是最簡單燒結(jié)方法。常壓燒結(jié)氮化鋁陶瓷一般溫度范圍為1600-2000℃，適當(dāng)升高燒結(jié)溫度和延長保溫時間可以提高氮化鋁陶瓷的致密度。

日本島津AIN氮化鋁基板真空燒結(jié)爐VHSgr40/40/150爐內(nèi)裝有密封箱，使脫脂揮發(fā)的氣體不污染爐內(nèi)壁和隔熱材，全部排出到爐外。

目前，AlN陶瓷燒結(jié)氣氛有3種：中性氣氛、還原型氣氛和弱還原型氣氛。中性氣氛采用常用的N2、還原性氣氛采用CO，弱還原性氣氛則使用H2。

在還原氣氛中，AlN陶瓷的燒結(jié)時間及保溫時間不宜過長，且其燒結(jié)溫度不能過高，以免AlN被還原。而在中性氣氛中不會出現(xiàn)上述情況，因此一般選擇在氮氣中燒結(jié)，以此獲得性能更高的AlN陶瓷。

在氮化鋁陶瓷基板燒結(jié)過程中，除了工藝和氣氛影響著產(chǎn)品的性能外，燒結(jié)助劑的選擇也尤為重要。在常壓下進行燒結(jié)，添加適宜的燒結(jié)助劑不僅能夠大大降低能耗，還能夠制備出高性能的AlN陶瓷。研究表明，通過添加一些低熔點的燒結(jié)助劑，可以在氮化鋁燒結(jié)過程中產(chǎn)生液相，促進氮化鋁坯體的致密燒結(jié)。

AlN燒結(jié)助劑一般是堿金屬氧化物和堿土金屬氧化物，燒結(jié)助劑主要有兩方面的作用：一方面形成低熔點物相，實現(xiàn)液相燒結(jié)，降低燒結(jié)溫度，促進坯體致密化；另一方面，高熱導(dǎo)率是AlN基板的重要性能，而實現(xiàn)AlN基板中由于存在氧雜質(zhì)等各種缺陷，熱導(dǎo)率低于理論值，加入燒結(jié)助劑可以與氧反應(yīng)，使晶格完整化，進而提高熱導(dǎo)率。