lpcvd氣相沉積設(shè)備的供貨商

產(chǎn)品價格：	120000/人民幣
最后更新：	2015-04-25 10:22:07
產(chǎn)品產(chǎn)地：	青島
發(fā)貨地：	青島 (發(fā)貨期：當(dāng)天內(nèi)發(fā)貨)
供應(yīng)數(shù)量：	不限
有效期：	長期有效
最少起訂：	1
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公司基本資料信息

青島福潤德微電子設(shè)備有限公司
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地址青島市城陽區(qū)北萬工業(yè)園6號

產(chǎn)品詳細(xì)說明

LPCVD是用加熱的方式在低壓條件下使氣態(tài)化合物在基片表面反應(yīng)并淀積形成穩(wěn)定固體薄膜。由于工作壓力低.氣體分子的平均自由程和擴(kuò)散系數(shù)大，故可采用密集裝片方式來提高生產(chǎn)率，并在襯底表面獲得均勻性良好的薄膜淀積層。LPCVD 用于淀積Poly-Si、Si3N4、SiO2、磷硅玻璃、硼磷硅玻璃、非晶硅及難熔金屬硅化物等多種薄膜。廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體集成電路、電力、電子、光電子及MEMS等行業(yè)的生產(chǎn)工藝中。

■ 主要技術(shù)指標(biāo)

◆ 適用硅片尺寸：4~6 "                                 ◆ 工作溫度范圍：350~1000℃

◆ 恒溫長度及精度：760mm±1℃                         ◆ 溫度梯度：0~30℃可調(diào)

◆ 系統(tǒng)極限真空度：0.8 Pa                              ◆ 工作壓力范圍：30Pa~133Pa可調(diào)

◆ 淀積膜種類：Si3N4 片內(nèi) ＜±3% 片間＜±3% 批間＜±4%

◆ 淀積膜均勻性：Poiy-Si 片內(nèi) ＜±3% 片間＜±3% 批間＜±4%

◆ 淀積膜均勻性：SiO2 片內(nèi) ＜±3%

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