四管擴(kuò)散爐主要滿足半導(dǎo)體電力電子器件、大功率集成電路等行業(yè)，對所加工硅片進(jìn)行擴(kuò)散、氧化、退火、合金等工藝。主要由擴(kuò)散爐加熱爐體、氣源系統(tǒng)、控制系統(tǒng)、超凈化操作系統(tǒng)組成。選用工控機(jī)微控方式或程控方式操作。

爐管配置：1-4管/臺(tái)
晶圓規(guī)格：4"、5"、6"、8"
爐體控制段：3/5段
恒溫區(qū)長：760（800）mm / 1000mm
反應(yīng)室配置：石英管/碳化硅管
加熱體材料：KANTHAL APM/A-1 或相當(dāng)
溫度均勻性：800-1300℃ /±0.5℃
300-900℃ /±1℃
工藝溫度范圍：300-1300℃
最大可控升溫速度：15-20℃/min
最大降溫速度：（1250～1000℃ ) 8℃/min
控制系統(tǒng)：工業(yè)計(jì)算機(jī)(10"-15"液晶屏)
送片系統(tǒng)：SiC懸臂/雙石英桿
凈化等級：100級或更好
凈化風(fēng)流：水平或垂直
送片速度：100mm-500mm/min
定位精度：2mm
氣源氣路：EP級316L管道1/4"或3/8"
閥門組件：SWAGELOK或相當(dāng)
管道焊接：自動(dòng)軌道焊接
工藝保證：提供典型的工藝