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　　TFT字符型模塊的寄生電容補償

　　當制作TFT基板時，若是漏極金屬層在光學微影(光刻)對準時，與柵極金屬層有向左或向右不同程度的對位誤差，TFT便會有變大或變小不同的寄生電容，從而產生不同的電容耦合效應。若是利用的TFT寄生電容補償設計，即使有不同程度的對位誤差，仍可以得到相同的電容耦合效應。

　　數(shù)據(jù)線跨越掃描線

　　像素布局中，并未對數(shù)據(jù)線跨越掃描線的部分做細部設計，實際上，可以在數(shù)據(jù)線金屬與掃描線金屬之間，多插入一層半導體層，在不用增加任何額外成本的情況下，使得數(shù)據(jù)線跨越掃描線的地方，多產生一個臺階幫助金屬爬坡走線，增加生產制造商的良好率，另外，可以縮減跨越處的布局寬度，以降低跨越的寄生電容。

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