概覽功率變換器是電能利用的重要裝置，在生產(chǎn)和生活中發(fā)揮著重要作用。功率變換器的核心是功率半導(dǎo)體器件，很大程度上決定了功率變換器的性能。經(jīng)過(guò)近幾十年的發(fā)展，功率半導(dǎo)體器件已經(jīng)形成了覆蓋幾伏到幾千伏、幾安到幾千安的龐大家族，常用的功率半導(dǎo)體器件類型包括MOSFET、IGBT、二極管等。大部分功率器件是基于Si半導(dǎo)體材料的，其特性已接近理論極限，成為功率變換器發(fā)展的瓶頸。與Si功率器件相比，SiC功率器件具有更高的開關(guān)速度、能夠工作在更高的結(jié)溫下、可以同時(shí)實(shí)現(xiàn)高電壓和大電流。這些特性能夠顯著提升功率變換器的性能，獲得更高的電能轉(zhuǎn)換效率、實(shí)現(xiàn)更高的功率密度、降低系統(tǒng)成本。SiC功率器件適合應(yīng)用于汽車牽引逆變器、電動(dòng)汽車車載充電機(jī)、電動(dòng)汽車充電樁、光伏、不間斷電源系統(tǒng)、能源儲(chǔ)存以及工業(yè)電源等領(lǐng)域。目前、國(guó)內(nèi)外SiC產(chǎn)業(yè)鏈逐漸成熟，主流功率半導(dǎo)體器件廠商都已經(jīng)推出了SiC功率器件產(chǎn)品，成本也不斷下降，SiC功率器件的應(yīng)用正處于爆發(fā)式增長(zhǎng)中。
測(cè)試需求功率半導(dǎo)體動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試（以半橋電路為基礎(chǔ)已經(jīng)發(fā)展出了一套完善的開關(guān)管開關(guān)特性評(píng)估方法，雙脈沖測(cè)試）是功率半導(dǎo)體研發(fā)與應(yīng)用中的核心評(píng)估工具，不僅提供關(guān)鍵動(dòng)態(tài)參數(shù)，還通過(guò)模擬實(shí)際工況揭示器件的潛在風(fēng)險(xiǎn)與優(yōu)化方向。以SiC和GaN為代表的第三代半導(dǎo)體的快速發(fā)展和應(yīng)用給新能源汽車行業(yè)、電源行業(yè)等帶來(lái)顛覆性的變化，也給設(shè)計(jì)工程師帶來(lái)了非常大的測(cè)試挑戰(zhàn)。如何保證選用的高速功率器件能穩(wěn)定可靠的運(yùn)行在自己的產(chǎn)品中，需要了解功率器件的動(dòng)態(tài)特性。
測(cè)試目的1、測(cè)量關(guān)鍵動(dòng)態(tài)參數(shù)。測(cè)量開關(guān)損耗、開關(guān)時(shí)間、反向恢復(fù)特性等動(dòng)態(tài)參數(shù)，用于優(yōu)化系統(tǒng)效率、評(píng)估器件響應(yīng)速度、判斷其在換流過(guò)程中的安全裕量。2、驗(yàn)證驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)。評(píng)估柵極驅(qū)動(dòng)電阻的合理性，優(yōu)化驅(qū)動(dòng)信號(hào)上升/下降斜率以減少開關(guān)震蕩。測(cè)試驅(qū)動(dòng)芯片的保護(hù)功能是否有效。3、對(duì)比器件性能。在不同的電壓、電流、溫度條件下測(cè)試，對(duì)比不同材料（Si IGBT和SiCMOSFET）或不同廠商器件的性能差異，支持選型決策。4、分析寄生參數(shù)影響。5、評(píng)估極端工況下的可靠性
測(cè)試原理如圖1所示，以SiC MOSFET為例。雙脈沖測(cè)試電路由母線電容CBus、被測(cè)開關(guān)管QL、陪測(cè)二極管VDH、驅(qū)動(dòng)電路和負(fù)載電感L組成。測(cè)試中，向QL發(fā)送雙脈沖驅(qū)動(dòng)信號(hào)，就可以獲得QL在指定電壓和電流下的開關(guān)特性。實(shí)際功率變換器的換流模式有MOS-二極管和MOSMOS兩種形式，進(jìn)行脈沖測(cè)試時(shí)需要選擇與實(shí)際變換器相同的形式和器件。對(duì)于MOS-MOS形式，只需要將二極管VDH換成SiC MOSFET QH，并在測(cè)試中一直施加關(guān)斷信號(hào)即可。在測(cè)試二極管反向恢復(fù)特性時(shí)，被測(cè)管為下管，負(fù)載電感并聯(lián)在其兩端，陪測(cè)管為上管，測(cè)試中進(jìn)行開通關(guān)斷動(dòng)作，如圖2所示。在整個(gè)測(cè)試中，QL進(jìn)行了兩次開通和關(guān)斷，形成了兩個(gè)脈沖，測(cè)量并保留QL的VGS、VDS、IDS波形，就可以對(duì)其第一次關(guān)斷和第二次開通時(shí)動(dòng)態(tài)特性進(jìn)行分析和評(píng)估了。
典型應(yīng)用場(chǎng)景1、電動(dòng)汽車驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)：驗(yàn)證逆變器中IGBT/SiC模塊的開關(guān)損耗和熱穩(wěn)定性。2、可再生能源：測(cè)試光伏逆變器和儲(chǔ)能變流器（PCS）的功率器件在高頻開關(guān)下的可靠性。3、工業(yè)變頻器：評(píng)估電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中器件的動(dòng)態(tài)響應(yīng)和電壓應(yīng)力。4、開關(guān)電源：優(yōu)化高頻DC-DC變換器的效率與EMI特性。
方案特點(diǎn)1、可靠、可重復(fù)地測(cè)試IGBT及MOSFET（包括第三代半導(dǎo)體器件SiC、GaN）功率半導(dǎo)體動(dòng)態(tài)特性；2、測(cè)量的特性參數(shù)包括開啟、關(guān)斷、開關(guān)切換、反向恢復(fù)、柵極驅(qū)動(dòng)、開關(guān)損耗等參數(shù)；3、支持客戶自定義夾具；4、使用普源示波器和探頭，可準(zhǔn)確補(bǔ)償探頭時(shí)間延遲，專用的開關(guān)損耗算法，提供可靠的測(cè)試結(jié)果；5、獨(dú)特的光隔離探頭，最高1GHz帶寬高達(dá)180dB共模抑制比，準(zhǔn)確測(cè)試驅(qū)動(dòng)信號(hào)的真實(shí)情況。